High performance buffer layer suitable for metal-ferroelectric-insulator-semicondoctor transistor with low voltage operation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High performance buffer layer suitable for metal-ferroelectric-insulator-semicondoctor transistor with low voltage operation

著者

和文:	Y.Fujisaki, T.Kijima, K.Aizawa, S.Ogasawara, H.Ishiwara.
英文:	Y.Fujisaki, T.Kijima, K.Aizawa, S.Ogasawara, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	1st Intern. Meeting on Ferroelectric Random Access Memories, Gotemba

巻, 号, ページ

No. P61 pp. 198-199

出版年月

2001年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: