MFIS FET with ultra thin Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> buffer layer made by atomic nitrogen radicals.

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	MFIS FET with ultra thin Si₃N₄ buffer layer made by atomic nitrogen radicals.

著者

和文:	Y.Fujisaki, O.Ogasawara, K.Aizawa, H.Ishiwara.
英文:	Y.Fujisaki, O.Ogasawara, K.Aizawa, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Intern. Joint Conf. on Application of Ferroeletrics, Nara

巻, 号, ページ

No. 30G-MM-6P

出版年月

2002年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: