強磁性体薄膜の残留磁化がMOSトランジスタのI-V特性に及ぼす影響(I):ゲート直上に作製したエピタキシャル(Mn,Zn)Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>薄膜によるI-V特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	強磁性体薄膜の残留磁化がMOSトランジスタのI-V特性に及ぼす影響(I):ゲート直上に作製したエピタキシャル(Mn,Zn)Fe₂O₄薄膜によるI-V特性
英文:	Effect of Remanent Magnetization of Ferromagnetic Thin Film on I-V Characteristics of MOS Transistor: I-V Characteristics by Epitaxial (Mn,Zn)Fe₂O₄ Thin Film On Gate Area

著者

和文:	清水完, 水上智, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭.
英文:	清水完, 水上智, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	日本セラミックス協会電子材料部会第22回電子材料研究討論会講演予稿集
英文:	Extended Abstraccts of the 22nd Electronics Division Meeting

巻, 号, ページ

No. 1B06 pp. 27

出版年月

2002年

出版者

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会議名称

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開催地

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