ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/radical-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>高誘電率バッファー層を用いたMFIS構造 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	ALD-Al₂O₃/radical-Si₃N₄高誘電率バッファー層を用いたMFIS構造
英文:

著者

和文:	藤崎芳久, 小笠原悟, 石原宏.
英文:	藤崎芳久, 小笠原悟, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第49回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

No. 30a-ZA-6

出版年月

2002年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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