Proposal of a Single-Transistor-Cell-Type Ferroelectric Memory Using an SOI Structure and Experimental Study on the Interference Problem in the Write Operation（共著）

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Proposal of a Single-Transistor-Cell-Type Ferroelectric Memory Using an SOI Structure and Experimental Study on the Interference Problem in the Write Operation（共著）

著者

和文:	H. Ishiwara, T. Shimamura, E. Tokumitsu.
英文:	H. Ishiwara, T. Shimamura, E. Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 36 No. 3B pp. 1655-1658

出版年月

1997年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: