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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Modelling of structural and electrical characteristics of randomly doped silicon nanowires in the Coulomb-blockade regime 
著者
和文: G. Evans, H. Mizuta, H. Ahmed.  
英文: G. Evans, H. Mizuta, H. Ahmed.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Jpn. J. Appl. Phys. 
巻, 号, ページ     No. 40    pp. 5837-5840
出版年月 2001年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
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開催地
和文: 
英文: 

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