The electron mobility transition in n-GaAs heavily doped channel

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	The electron mobility transition in n-GaAs heavily doped channel

著者

和文:	Y. Ohkura, H. Mizuta, I. Ohbu, O. Kagaya, K. Katayama, S. Ihara.
英文:	Y. Ohkura, H. Mizuta, I. Ohbu, O. Kagaya, K. Katayama, S. Ihara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Semicond. Sci. Technol.

巻, 号, ページ

No. 9 pp. 811-814

出版年月

1994年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: