Two-dimensional numerical simulation of Fermi-level pinning phenomena due to DX centers in AlGaAs/GaAs HEMT&#39;s

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Two-dimensional numerical simulation of Fermi-level pinning phenomena due to DX centers in AlGaAs/GaAs HEMT's

著者

和文:	H. Mizuta, K. Yamaguchi, M. Yamane, T. Tanoue, S. Takahashi.
英文:	H. Mizuta, K. Yamaguchi, M. Yamane, T. Tanoue, S. Takahashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Trans. on Electron Devices

巻, 号, ページ

No. ED-36 pp. 2307-2314

出版年月

1989年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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