Improved performance of submicrometer-gate GaAs MESFET&#39;s with an Al0.3Ga0.7As buffer layer grown by metal organic vapor phase epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improved performance of submicrometer-gate GaAs MESFET's with an Al0.3Ga0.7As buffer layer grown by metal organic vapor phase epitaxy

著者

和文:	K. Hiruma, M. Mori, E. Yanakura, H. Mizuta, S. Takahashi.
英文:	K. Hiruma, M. Mori, E. Yanakura, H. Mizuta, S. Takahashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Trans. on Electron Devices

巻, 号, ページ

No. ED-36 pp. 314-318

出版年月

1989年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: