A Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET: The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Lyaers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET: The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Lyaers

著者

和文:	T. Sakai, S. Ohmi, D. Sasaki, M. Sakuraba, J. Murota.
英文:	T. Sakai, S. Ohmi, D. Sasaki, M. Sakuraba, J. Murota.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Abst. First International SiGe Technology and Device Meeting

巻, 号, ページ

pp. 31-32

出版年月

2003年1月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:	Nagoya, Japan Nagoya University