Current Gain AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Carbon-Doped Base Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using Trimethylamine Alane as the Aluminum Source

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Current Gain AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Carbon-Doped Base Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using Trimethylamine Alane as the Aluminum Source

著者

和文:	Adarsh Sandhu, Shinji Yamaura, Hideyasu Ando, Naoya Okamoto, Tsuyoshi Takahashi, Toshio Fujii, Naoki Yokoyama.
英文:	Adarsh Sandhu, Shinji Yamaura, Hideyasu Ando, Naoya Okamoto, Tsuyoshi Takahashi, Toshio Fujii, Naoki Yokoyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 32 pp. L309-L311

出版年月

1993年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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