Growth of Carbon Doped Base GaAs/AlGAas HBT by GSMBE using TEG, TEA, TMG, AsH3 and Si2H6

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Growth of Carbon Doped Base GaAs/AlGAas HBT by GSMBE using TEG, TEA, TMG, AsH3 and Si2H6

著者

和文:	A. SANDHU, T. Fujii, H. Ando, T. Takahashi, H. Ishikawa, N. Okamoto, N. Yokoyama.
英文:	A. SANDHU, T. Fujii, H. Ando, T. Takahashi, H. Ishikawa, N. Okamoto, N. Yokoyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Crystal Growth

巻, 号, ページ

Vol. 120 pp. 296-300

出版年月

1992年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: