InP Hot Electron Transistors with Reduced Emitter Width for Controllability of Collector Current by Gate Bias

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InP Hot Electron Transistors with Reduced Emitter Width for Controllability of Collector Current by Gate Bias

著者

和文:	R.Nakagawa, K.Takeuchi, Y.Yamada, Y.Miyamoto, K.Furuya.
英文:	R.Nakagawa, K.Takeuchi, Y.Yamada, Y.Miyamoto, K.Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	International Conference on Indium Phosphide and Related Material

巻, 号, ページ

Vol. P1-14

出版年月

2004年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: