Long retention performance of a MFIS device achieved by introducing high-k Al2O3/Si3N4/Si buffer layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Long retention performance of a MFIS device achieved by introducing high-k Al₂O₃/Si₃N₄/Si buffer layer

著者

和文:	Y.Fujisaki, K.Iseki, H.Ishiwara.
英文:	Y.Fujisaki, K.Iseki, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Mater. Res. Soc. Sympo. Proc. (Ferro- electric Thin Films XII)

巻, 号, ページ

Vol. 784 pp. C(E)9.6.1-C(E)9.6.11

出版年月

2004年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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