Impact of HfO<sub>2</sub> buffer layers on data retention characteristics of ferroelectric-gate field effect transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Impact of HfO₂ buffer layers on data retention characteristics of ferroelectric-gate field effect transistors

著者

和文:	K.Aizawa, B-E.Park, Y.Kawashima, K.Takahashi, H.Ishiwara.
英文:	K.Aizawa, B-E.Park, Y.Kawashima, K.Takahashi, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl. Phys. Lett.

巻, 号, ページ

Vol. 85 No. 15 pp. 3199-3201

出版年月

2004年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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