30-day-long data retention in ferroelectric-gate FET&#39;s with HfO<sub>2</sub> buffer layers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	30-day-long data retention in ferroelectric-gate FET's with HfO₂ buffer layers

著者

和文:	T. Takahashi, B-E Park, K. Aizawa, H. Ishiwara.
英文:	T. Takahashi, B-E Park, K. Aizawa, H. Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Extended Abstracts of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials

巻, 号, ページ

No. D-1-2 pp. 52-53

出版年月

2004年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: