InAs quantum dot formed on GaNAs buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InAs quantum dot formed on GaNAs buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition

著者

和文:	鈴木亮一郎, 宮本智之, 松浦哲也, 小山二三夫.
英文:	Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, Tetsuya Matsuura, Fumio Koyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Physica Status Solidi

巻, 号, ページ

vol. 3(c) no. 3 pp. 528-531

出版年月

2006年2月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI