Ga(In)AsSbカバー層を有するInAs量子ドットの偏光依存性

論文・著書情報

タイトル

和文:	Ga(In)AsSbカバー層を有するInAs量子ドットの偏光依存性
英文:	Polarization characteristics of MBE grown InAs QDs with Ga(In)AsSb cover layer

著者

和文:	松浦哲也, 宮本智之, 小山二三夫.
英文:	Tetsuya Matsuura, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2006年3月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第53回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 53rd Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	東京
英文:	Tokyo