Ga(In)AsSbカバー層を有するInAs量子ドットの偏光依存性II

論文・著書情報

タイトル

和文:	Ga(In)AsSbカバー層を有するInAs量子ドットの偏光依存性II
英文:	Polarization characteristics of MBE grown InAs QD with Ga(In)AsSb cover layer II

著者

和文:	松浦哲也, 宮本智之, 小山二三夫.
英文:	Tetsuya Matsuura, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2006年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第67回応用物理学会学術講演会
英文:	The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics

開催地

和文:	滋賀
英文:	Shiga