GaNAsバッファ層を用いたInAs量子ドット発光の熱アニール効果

論文・著書情報

タイトル

和文:	GaNAsバッファ層を用いたInAs量子ドット発光の熱アニール効果
英文:	Post-annealing effects on emission characteristics of InAs quantum dots on GaNAs buffer layer

著者

和文:	鈴木亮一郎, 宮本智之, 小山二三夫.
英文:	Ryouichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2006年9月

出版者

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会議名称

和文:	第67回応用物理学会学術講演会
英文:	The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics

開催地

和文:	滋賀
英文:	Shiga