Data Retention and Readout Degradation Propertics of Pt/Sr0.7Sm0.07Bi2.2Ta2O9/HfO2/Si Structure Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Data Retention and Readout Degradation Propertics of Pt/Sr0.7Sm0.07Bi2.2Ta2O9/HfO2/Si Structure Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors

著者

和文:	斎木博和, 徳光永輔.
英文:	Hirokazu Saiki, Eisuke Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 46 No. 1 pp. 261-266

出版年月

2007年1月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

DOI