Ferroelectric-gate thin-film transistors using indium-tin-oxide channel with oarge charge controllability

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ferroelectric-gate thin-film transistors using indium-tin-oxide channel with oarge charge controllability

著者

和文:	宮迫毅明, 妹尾賢, 徳光永輔.
英文:	Takaaki Miyasako, Masaru Senoo, Eisuke Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Letters

巻, 号, ページ

vol. 86 No. 16 pp. 162902/1-3

出版年月

2005年4月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: