HfSiON膜バッファ層を用いたPt/(Bi,La)<sub>4</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>/HfSiON/Si構造の強誘電体ゲートFETの特性 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	HfSiON膜バッファ層を用いたPt/(Bi,La)₄Ti₃O₁₂/HfSiON/Si構造の強誘電体ゲートFETの特性
英文:

著者

和文:	鉾宏真, 田渕良志明, 田村哲朗, 丸山研二, 石原宏.
英文:	鉾宏真, 田渕良志明, 田村哲朗, 丸山研二, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 25p-S-7/II

出版年月

2006年3月

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

和文:	東京、武蔵工業大学
英文:

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