MC simulation of ultrafast transistor using ballistic electron in intrinsic semiconductor and its fabrication feasibility

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	MC simulation of ultrafast transistor using ballistic electron in intrinsic semiconductor and its fabrication feasibility

著者

和文:	K Furuya, N Machida, M Igarashi, R Nakagawa, I Kashima, M Ishida, Y Miyamoto.
英文:	K Furuya, N Machida, M Igarashi, R Nakagawa, I Kashima, M Ishida, Y Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Physics: Conference Series

巻, 号, ページ

Vol. 38 pp. 208-211

出版年月

2006年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: