Ultra-Thin Ge-on-Insulator(GOI) Metal S/D p-Channel MOSFETs Fabricated by Low Temperature MBE Growth

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ultra-Thin Ge-on-Insulator(GOI) Metal S/D p-Channel MOSFETs Fabricated by Low Temperature MBE Growth

著者

和文:	T.Uehara, H.Matsubara, S.Sugahara, S.Takagi.
英文:	T.Uehara, H.Matsubara, S.Sugahara, S.Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. paper H-8-2, pp.1050-1051

出版年月

2006年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,

開催地

和文:
英文: