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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Effect of Tensile Strain on Gate Current of Strained-Si n-MOSFETs 
著者
和文: T.Hoshii, 菅原 聡, S.Takagi.  
英文: T.Hoshii, S.Sugahara, S.Takagi.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Jpn. J. Appl. Phys. 
巻, 号, ページ Vol. 46    No. 4B    pp. 2122-2126
出版年月 2007年4月 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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英文: 

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