D.C.バイアス印加によるPECVD-TEOSゲート酸化膜の特性改善

論文・著書情報

タイトル

和文:	D.C.バイアス印加によるPECVD-TEOSゲート酸化膜の特性改善
英文:	Improvement of PECVD TEOS gate oxide with D.C. bias on the substrate

著者

和文:	イムチョルヒョン, 飯野裕明, 半那純一.
英文:	Cheolhyun Lim, Hiroaki Iino, Jun-ichi Hanna.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第54回応用物理学会関係連合講演会講演予稿集
英文:	Extended Abstracts (The 54th Spring Meeting, 2007) The Japan Society of Applied Physics and Related Societies

巻, 号, ページ

Vol. AP071108-02 pp. 868

出版年月

2007年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第54回応用物理学会関係連合講演会
英文:

開催地

和文:	青山学院大学、神奈川
英文: