Low leakage gate current of InP transistors with hot electron extracted by attractive potential around i-InP/metal gate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Low leakage gate current of InP transistors with hot electron extracted by attractive potential around i-InP/metal gate

著者

和文:	Y. Miyamoto, R. Nakagawa, I. Kashima, M. Ishida, K. Furuya.
英文:	Y. Miyamoto, R. Nakagawa, I. Kashima, M. Ishida, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	International Conference on Solid State Devices and Materials

巻, 号, ページ

pp. I-2-6

出版年月

2005年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005)

開催地

和文:
英文:	Kobe