Control of Flat Band Voltage by Partial Incorporation of  La2O3  or Sc2O3 into MfO2  in Metal/MfO2/SiO2/Si MOS Capacitors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Control of Flat Band Voltage by Partial Incorporation of La2O3 or Sc2O3 into MfO2 in Metal/MfO2/SiO2/Si MOS Capacitors

著者

和文:	足立学, 岡本晃一, 角嶋邦之, AHMET PARHAT, 筒井一生, N.Sugii, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	M.Adachi, K.Okamoto, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	ECS Transactions:Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics 5

巻, 号, ページ

Vol. 11 No. 4 pp. 157-167

出版年月

2007年10月

出版者

和文:
英文:	The Electrochemikal Society

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

ファイル

DOI