Anomalously High Channel Mobility in SiC-MOSFETs with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Anomalously High Channel Mobility in SiC-MOSFETs with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure

著者

和文:	日野史郎, 畑山智裕, 加藤潤, 三浦成久, 大森達夫, 徳光永輔.
英文:	S.Hino, Tomohiro Hatayama, J.Kato, N. Miura, T.Oomori, E.Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

No. We-2A-2

出版年月

2007年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Conference on Silicon Barbide and Related Materials 2007

開催地

和文:
英文:	Otsu, Japan