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論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
Anomalously High Channel Mobility in SiC-MOSFETs with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure
著者
和文:
日野 史郎
,
畑山 智裕
,
加藤 潤
,
三浦 成久
,
大森 達夫
,
徳光 永輔
.
英文:
S.Hino
,
Tomohiro Hatayama
,
J.Kato
,
N. Miura
,
T.Oomori
,
E.Tokumitsu
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
巻, 号, ページ
No. We-2A-2
出版年月
2007年10月
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
International Conference on Silicon Barbide and Related Materials 2007
開催地
和文:
英文:
Otsu, Japan
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.