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論文・著書情報


タイトル
和文:低温堆積Al2O3を用いたSiC MOSFETのアニールによる電気的特性の変化 
英文: 
著者
和文: 加藤潤, 日野史郎, 三浦 成久, 大森 達夫, 徳光永輔.  
英文: Jun Kato, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, EISUKE TOKUMITSU.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:第６８回 応用物理学関係連合講演会 
英文: 
巻, 号, ページ     No. 6p-ZN-10/I   
出版年月 2007年9月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第６８回 応用物理学関係連合講演会 
英文: 
開催地
和文:北海道工業大学 
英文: 

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