La2O3/Ge MIS 構造における微量Si 界面層導入による電気特性の変化 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	La2O3/Ge MIS 構造における微量Si 界面層導入による電気特性の変化
英文:

著者

和文:	宋在烈, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Jaeyeol Song, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハット・アヘメト, KAZUO TSUTSUI, 杉井信之, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	秋季第68回応用物理学会学術講演会
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2007年9月

出版者

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会議名称

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開催地

和文:	北海道工業大学
英文:

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