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論文・著書情報


タイトル
和文:HfO2/ La2O3のゲート絶縁膜を用いたSi-MOSFETの電気特性 
英文: 
著者
和文: 日野雅文, 角嶋 邦之, パールハット アヘメト, 筒井 一生, 杉井 信之, 服部 健雄, 岩井 洋.  
英文: Masafumi Hino, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハット アヘメト, KAZUO TSUTSUI, 杉井 信之, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:秋季第68回応用物理学会学術講演会 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2007年11月 
出版者
和文: 
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会議名称
和文: 
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開催地
和文:北海道工業大学 
英文: 

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