Anomalously High Channel Mobility in SiC MOSFET with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Anomalously High Channel Mobility in SiC MOSFET with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure

著者

和文:	日野史郎, 畑山智裕, 加藤潤, 三浦成久, 大森達夫, 徳光永輔.
英文:	Shiro Hino, Tomohiro Hatayama, Jun Kato, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, Eisuke Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Materials Science Forum

巻, 号, ページ

vol. 600-603 pp. 683-686

出版年月

2009年2月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	ICSCRM2007

開催地

和文:
英文: