GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討

論文・著書情報

タイトル

和文:	GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討
英文:	Investigation on polarization characteristics of GaInAsSb covered InAs quantum dot for application to surface emitting devices

著者

和文:	松浦哲也, 宮本智之, 小山二三夫.
英文:	Tetsuya Matsuura, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電子情報通信学会論文誌
英文:	Trans. IEICE

巻, 号, ページ

vol. J90-C no. 1 pp. 69-75

出版年月

2007年1月

出版者

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会議名称

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開催地

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