GaNAs歪補償層を用いた1.4μm帯短スペーサー層InAs量子ドットの多層化

論文・著書情報

タイトル

和文:	GaNAs歪補償層を用いた1.4μm帯短スペーサー層InAs量子ドットの多層化
英文:	Multilayer 1.4μm InAs quantum dots with thin spacer layer using GaNAs strain compensation layer

著者

和文:	鈴木亮一郎, 宮本智之, 小山二三夫.
英文:	Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2007年9月

出版者

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英文:

会議名称

和文:	第68回応用物理学会学術講演会
英文:	The 68th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics

開催地

和文:	北海道
英文:	Hokkaido