Fabrication of 200-nm-thick SiO2 wires buried in InP for reduction in collector capacitance in InP/InGaAs DHBT

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of 200-nm-thick SiO2 wires buried in InP for reduction in collector capacitance in InP/InGaAs DHBT

著者

和文:	山下浩明, 三浦司, 高橋新之助, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Hiroaki Yamashita, Tsukasa Miura, Shinnosuke Takahashi, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2007年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics

開催地

和文:
英文:	Kisarazu Chiba

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