Investigation of PDA Process to Improve Electrical Characteristics of HfOxNy High-k Dielectric Formed by ECR Plasma Oxidation of HfN

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Investigation of PDA Process to Improve Electrical Characteristics of HfOxNy High-k Dielectric Formed by ECR Plasma Oxidation of HfN

著者

和文:	大見俊一郎, Y. Nakano.
英文:	S. Ohmi, Y. Nakano.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	2007 International Symposium on Semiconductor Manufacturing, Conf. Proc.

巻, 号, ページ

pp. 514-517

出版年月

2007年10月

出版者

和文:
英文:	IEEE

会議名称

和文:
英文:	2007 International Symposium on Semiconductor Manufacturing

開催地

和文:
英文:	Santaclara, USA