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論文・著書情報


タイトル
和文:FeRAMの最近の進展と強誘電体ゲート構造メモリ 
英文: 
著者
和文: 徳光永輔.  
英文: EISUKE TOKUMITSU.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:JSAP Catalog 
英文: 
巻, 号, ページ     No. AP072329    pp. 55-60
出版年月 2007年7月 
出版者
和文:応用物理学会薄膜・表面分科会、第35回薄膜・表面物理ｾﾐﾅｰ「次世代ﾅﾉｽｹｰﾙﾒﾓﾘｰの薄膜・ﾄﾞｯﾄ・界面制御」 
英文: 
会議名称
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開催地
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