High channel mobility 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with low temperature metal-organic chemical-vapor deposition grown Al2O3 gate insulator

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High channel mobility 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with low temperature metal-organic chemical-vapor deposition grown Al2O3 gate insulator

著者

和文:	日野史郎, 畑山智裕, 加藤潤, 徳光永輔, 三浦成久, 大森達夫.
英文:	S.Hino, Tomohiro Hatayama, J.Kato, E.Tokumitsu, N.Miura, T.Oomori.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Letters

巻, 号, ページ

Vol. 92 No. 183503 pp. 1-2

出版年月

2008年6月

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

和文:
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DOI