Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation

著者

和文:	S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, 中根了昌, 菅原聡, M. Takenaka.
英文:	S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	The 5th Intl. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)

巻, 号, ページ

pp. 65-66, paper OA2-1

出版年月

2007年11月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 5th Intl. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)

開催地

和文:
英文: