InAs High Electron Mobility Transistors with Buried Gate for Ultralow-Power-Consumption Low-Noise Ampliﬁer Application

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InAs High Electron Mobility Transistors with Buried Gate for Ultralow-Power-Consumption Low-Noise Ampliﬁer Application

著者

和文:	Chien-I KUO, Heng-Tung HSU, Edward Yi CHANG, 宮本恭幸, Wen-Chung TSERN.
英文:	Chien-I KUO, Heng-Tung HSU, Edward Yi CHANG, Yasuyuki MIYAMOTO, Wen-Chung TSERN.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 47 No. 9 pp. 7119–7121

出版年月

2008年9月

出版者

和文:	日本応用物理学会
英文:	The Japan Society of Applied Physics

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: