論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Lateral Buried Growth of N+-InGaAs Source/Drain Region to Undercut InGaAs Channel Structure for High Drive Current N-type MOSFET

著者

和文:	金澤徹, 齋藤尚史, 若林和也, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	T. Kanazawa, H. Saito, K. Wakabayashi, Y. Miyamoto, K. Furuya.

言語

Others

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2008 International Conference on Solid State Devices and Materials

開催地

和文:
英文:	Tsukuba, Ibaraki

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