Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:RF Characteristics of Schottky-Gate-Controlled Hot Electron Transistor 
著者
和文: 宮本 恭幸, 長谷川 貴史, 齋藤 尚史, 古屋 一仁.  
英文: Yasuyuki Miyamoto, Takashi Hasegawa, Hisashi Saito, Kazuhito Furuya.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2008年10月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008 
開催地
和文: 
英文: 

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.