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論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
Effect of Oxidant in MOCVD-growth of Al2O3 Gate Insurator on 4H-SiC MOSFET Properties
著者
和文:
守谷仁
,
日野史郎
,
三浦成久
,
大森達夫
,
徳光永輔
.
英文:
H.Moriya
,
S.Hino
,
N.Miura
,
T.Oomori
,
E.Tokumitsu
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
巻, 号, ページ
出版年月
2008年9月
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2008)
英文:
開催地
和文:
英文:
Barcelona, Spain
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.