Effect of Oxidant in MOCVD-growth of Al2O3 Gate Insurator on 4H-SiC MOSFET Properties

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of Oxidant in MOCVD-growth of Al2O3 Gate Insurator on 4H-SiC MOSFET Properties

著者

和文:	守谷仁, 日野史郎, 三浦成久, 大森達夫, 徳光永輔.
英文:	H.Moriya, S.Hino, N.Miura, T.Oomori, E.Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2008)
英文:

開催地

和文:
英文:	Barcelona, Spain