MOCVD法によるGaNAsバッファ層上InAs量子ドットの高密度化

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOCVD法によるGaNAsバッファ層上InAs量子ドットの高密度化
英文:	High density InAs quantum dots on GaNAs buffer layer

著者

和文:	鈴木亮一郎, 宮本智之, 仙石知行, 小山二三夫.
英文:	Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, Tomoyuki Sengaku, Fumio Koyama.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第55回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 55th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	千葉
英文:	Chiba