Analysis of carrier behavior in pentacene FET withP(VDF-TeFE) gate insulator using displacement current measurement

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Analysis of carrier behavior in pentacene FET withP(VDF-TeFE) gate insulator using displacement current measurement

著者

和文:	吉田周平, 田村亮祐, Martin Weis, Lim Eun, 間中孝彰, 岩本光正.
英文:	Shuhei Yoshita, Ryosuke Tamura, Martin Weis, Eunju Lim, Takaaki Manaka, Mitsumasa Iwamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 2nd IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference(NMDC2008)

開催地

和文:
英文:	Kyoto Japan