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論文・著書情報


タイトル
和文:電界誘起SHG測定によるペンタセンFETの電界評価 
英文:Analysis of electric field i n pentacene FET using EFISHG measurement 
著者
和文: 中尾元春, 間中孝彰, 田村亮祐, 林銀珠, 岩本光正.  
英文: Motoharu Nakao, Takaaki Manaka, Ryosuke Tamura, Eunju Lim, Mitsumasa Iwamoto.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2008年3月 
出版者
和文:応用物理学会 
英文:The Japan Society of Applied Physics 
会議名称
和文:2008春季 第55回応用物理学会学術講演会 
英文:JSAP the 55th Spring Meeting, 2008 
開催地
和文:千葉県 日本大学 
英文:Nihon University, Chiba, Japan 
アブストラクト はじめに：電流密度jはj = en μ Eと表現されるので、有機FETの解析では、電荷密度en (キャリアの起源)・移動度μ (キャリアの移動)・電界E (有機材料内の電界分布)に関する知見が必要である。注入キャリアで動作する有機FETでは、ONおよびOFF時の電界分布を決定することが重要になる。これまで我々は分極現象に敏感な光第二次高調波発生(SHG)に着目し、有機FETの電界分布評価に対する新規手法を提案してきた [1][2]。今回は電界誘起SHG(EFISHG)測定により、静電界のベクトル的な評価を試みたので、その結果を報告する。 実験結果と考察：ペンタセンFETのチャネル部にラプラス場を形成し( Vds= 0 V , Vgs=100 V )、基本光(波長1120 nm)の面内電界成分がチャネル平行方向と垂直方向のEFISH強度を比較した。チャネル全体にレーザースポットをあて、SH光の面内異方性からチャネル平行方向に支配的な静電界を確認した。またスポットを絞り、チャネル部の電界分布を測定したところ、ソース・ドレイン電極近傍にEFISH強度のピークが観測された(図1)。なお静電界と直交する光電界に対しEFISHGの発生が認められたが(図1 □のプロット)、これはペンタセン薄膜のグレインサイズに依存するものと考える。

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