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論文・著書情報


タイトル
和文:時間分解SHG測定によるペンタセンFETキャリア注入過程の解析 
英文:Analysis of carrier injection mechanism in pentacene FET using time-resolved microscopic SHG measurement 
著者
和文: 中尾元春, 間中孝彰, Martin Weis, 林銀珠, 岩本光正.  
英文: Motoharu Nakao, Takaaki Manaka, Martin Weis, Eunju Lim, Mitsumasa Iwamoto.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2008年9月 
出版者
和文:応用物理学会 
英文:The Japan Society of Applied Physics 
会議名称
和文:2008秋季 第69回応用物理学会学術講演会 
英文:JSAP the 69th Autumn Meeting, 2008 
開催地
和文:愛知県 中部大学 
英文:Chubu University, Aichi, Japan 
アブストラクト はじめに：有機FETの動作は注入と輸送過程に支配されるため、輸送過程(移動度)の制御とともに注入の制御が特性向上には不可欠である。しかし有機デバイスにおける注入過程は複雑であり、注入障壁の効率的な制御は重要な課題となっている。これまで我々は時間分解顕微光第二次高調波発生(TRM-SHG)測定を用いた有機FETの新規評価法を提案し、有機FETのキャリア注入と輸送過程を独立して評価できることを示してきた [1][2]。今回はTRM-SHG測定により電極界面に生じる注入障壁について、その電界依存性等を検討したので、これを報告する。 実験結果と考察：Ag電極ペンタセンFETのチャネル全体に基本光(波長1120 nm)を照射し、ここでは注入過程に着目するためソース電極近傍のSHG信号を抽出した。レーザーの入射タイミングをゲート電圧Vgsの立ち上がりに対して遅延させ、キャリア注入に伴うSHG強度変化を観測した結果を図1に示す。図からわかるように、注入電極近傍のSHG強度は注入開始後、徐々に減衰する。これは注入キャリアが形成する空間電荷電界により、外部電圧による電界が緩和されるためである。また定常状態で観測されたSHG信号は、ソース電極側の電位ドロップの存在を示唆している。実際にVgsを増加させて減衰の様子を調べると、SHG強度減衰の緩和時間が短くなった。これはSchottky効果により印加電界の増加が注入障壁を低下させたためと考えられる。

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