Improvement of InGaZnO4 Thin Film Transistors Characteristics Utilizing Excimer Laser Annealing

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improvement of InGaZnO4 Thin Film Transistors Characteristics Utilizing Excimer Laser Annealing

著者

和文:	中田充, 竹地和重, 東和文, 徳光永輔, 山口弘高, 金子節夫.
英文:	Mitsuru Nakata, Kazushige Takechi, Kazufumi Azuma, Eisuke Tokumitsu, Hirotaka Yamaguchi, Setsuo Kaneko.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Express 2

巻, 号, ページ

pp. 021102-1~3

出版年月

2009年2月

出版者

和文:
英文:	2009 The Japan Society of Applied Physics

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: